- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A... |
1 | 1,148 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 570 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.... |
1 | 221 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 43.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 68.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 216 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V COOLMOS CFD7A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 43.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650 V COOLMOS CFD7 ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
