- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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59 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 690 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 508 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 189 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 455 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 234 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 37A... |
1 | 486 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 182 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 493 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 453 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 54 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 |
