- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,954 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 2,313 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,970 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,820 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,966 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET - POWER,NC... |
1 | 1,944 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | NTBL082N65S3HF |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SUPERFET3 FAST 95M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SF3 650V EASY 70MOHM... |
1 | 2,000 | 加入询价 |