- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- Wolfspeed (5)
- 工作温度：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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41 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,954 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 2,313 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,970 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,820 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,966 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 53 M... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET - POWER,NC... |
1 | 1,944 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 1,732 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17A... |
1 | 1,049 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 23A... |
1 | 861 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 69A... |
1 | 152 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 44A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | NTBL082N65S3HF |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
