- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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22 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 28A... |
1 | 103 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 247 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 53 M... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 33 M... |
1 | 60 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 33 M... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 68A... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 72A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
