- 品牌：
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- ON Semiconductor (40)
- STMicroelectronics (54)
- PANJIT (5)
- ROHM Semiconductor (16)
- Vishay / Siliconix (11)
- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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237 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,418 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 3,912 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 479 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,813 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 286 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 2,975 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 976 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 276 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 583 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 17A... |
1 | 984 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 9A TO-220FM, HIG... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-220FM, HIG... |
1 | 3,994 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 972 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 1,902 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 1,928 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 970 | 加入询价 |
