- 品牌:
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- 安装类型:
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- 工作温度:
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- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 技术:
-
- FET 类型:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
1,630 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 30A... |
1 | 645 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 6,812 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 93A... |
1 | 2,199 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 118... |
1 | 754 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 47,589 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 9,007 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 7,764 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 5,136 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 3,059 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 1,730 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A... |
1 | 1,148 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 47A... |
1 | 3,290 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 5,105 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 1,730 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 3,110 | 加入询价 |