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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
2.25A(Tc)
(1)
3.5A(Tc)
(1)
5.5A(Tc)
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.6 欧姆 @ 2.25A,10V
(1)
420 毫欧 @ 5.5A,10V
(2)
850 毫欧 @ 3.5A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
14.3 nC @ 10 V
(1)
42.07 nC @ 10 V
(2)
8.6 nC @ 10 V
(1)
功率耗散(最大值):
800mW(Ta),15W(Tc)
(1)
800mW(Ta),25W(Tc)
(2)
800mW(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss) : 200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : -
供应商器件封装 : TO-205AF(TO-39)
4 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
JANTX2N6798
Microsemi
MOSFET N-CH 200V 5.5...
1
2,000
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JANTXV2N6784
Microsemi
MOSFET N-CH 200V 2.2...
1
2,000
加入询价
JANTXV2N6790
Microsemi
MOSFET N-CH 200V 3.5...
1
2,000
加入询价
JANTXV2N6798
Microsemi
MOSFET N-CH 200V 5.5...
1
2,000
加入询价
JANTX2N6798
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
JANTXV2N6784
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
JANTXV2N6790
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
JANTXV2N6798
Microsemi
-
库存 : 2,000
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