供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FQT3P20TF ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 670...
1 1,134 加入询价
BSP220,115 Nexperia
MOSFET P-CH 200V 225...
1 7,537 加入询价
ZVP2120GTA Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 200...
1 889 加入询价
ZVP2120GTC Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 200...
1 2,000 加入询价
ZXMP2120G4TA Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 200...
1 46 加入询价
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