25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 3,930 加入询价
APT11N80BC3G Microchip Technology
MOSFET N-CH 800V 11A...
1 2,000 加入询价
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 2,000 加入询价
SPI08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 2,000 加入询价
APT11N80KC3G Microsemi
MOSFET N-CH 800V 11A...
1 2,000 加入询价
SPI08N80C3 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 2,000 加入询价
SPP08N80C3XK Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 2,000 加入询价
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