供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI4850EY-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A ...
1 71 加入询价
SI4850EY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A ...
1 2,000 加入询价
ZXMN6A10N8TA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 7.6A...
1 2,000 加入询价
SI4470EY-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A ...
1 2,000 加入询价
RSS080N05FU6TB ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A ...
1 2,000 加入询价
SI4470EY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A ...
1 2,000 加入询价
SI4850EY-T1 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A ...
1 2,000 加入询价
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