FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT110N06D3 Goford Semiconductor
N60V, 35A,RD<11M@10V,V...
1 10,000 加入询价
G08P06D3 Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<52M@-10V...
1 7,604 加入询价
G700P06D3 Goford Semiconductor
P-60V,-18A,RD(MAX)<70M...
1 4,960 加入询价
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