- 品牌：
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- 工作温度：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- Vgs（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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567 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 4,792 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | DISCRETE MOSFET ... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 237 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .010O... |
1 | 2,870 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 210 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 100V 5... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 170V DIE... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
