供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G085P02TS Goford Semiconductor
P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8....
1 5,000 加入询价
G2012 Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<12M@4.5V...
1 2,994 加入询价
MCS2305B-TP Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET P-CH 20V 8.2A...
1 2,000 加入询价
MCG18P02A-TP Micro Commercial Components (MCC)
MCG18P02A-TP
1 2,000 加入询价
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