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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
10.5A(Ta)
(1)
12.5A(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
1.5V,4.5V
(1)
1.8V,4.5V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
12 毫欧 @ 10.5A,4.5V
(1)
8.6 毫欧 @ 12.5A,4.5V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
40 nC @ 4.5 V
(1)
46 nC @ 4.5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
2121 pF @ 6 V
(1)
2700 pF @ 6 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss) : 12 V
封装/外壳 : 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 : DFN2020M-6
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMPB07R3VPX
Nexperia
PMPB07R3VP - 12 V, P-...
1
11,890
加入询价
PMPB09R5VPX
Nexperia
PMPB09R5VP - 12 V, P-...
1
964
加入询价
PMPB07R3VPX
Nexperia
-
库存 : 11,890
询价
PMPB09R5VPX
Nexperia
-
库存 : 964
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