- 品牌:
-
- ON Semiconductor (8)
- 安装类型:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
29 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 20A... |
1 | 3,872 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 120V 90A... |
1 | 7,045 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 1,600 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 4,996 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SINGLE N-CHANNEL... |
1 | 1,087 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 11.... |
1 | 2,032 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 13.... |
1 | 1,477 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 18.... |
1 | 2,095 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 12A... |
1 | 1,109 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 3,596 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 208 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 798 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 8.6... |
1 | 23 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 37A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET N-CH 120V 230... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | POWER MOSFET, 120V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | PTNG 120V LL NCH IN... |
1 | 2,000 | 加入询价 |