供应商器件封装:
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIR632DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 150V 29A...
1 2,000 加入询价
PSMN063-150D,118 Nexperia
MOSFET N-CH 150V 29A...
1 2,000 加入询价
PHP30NQ15T,127 Nexperia
MOSFET N-CH 150V 29A...
1 2,000 加入询价
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