供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSH103,215 Nexperia
MOSFET N-CH 30V 850M...
1 402,043 加入询价
BSH103,235 Nexperia
MOSFET N-CH 30V 850M...
1 19,895 加入询价
2SK3018-TP Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-CH 30V 100M...
1 83,097 加入询价
2SK2009TE85LF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 30V 200M...
1 4,835 加入询价
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