- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 62,395 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 83,039 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 15,626 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 8,628 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 14,224 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
