- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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39 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 8,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<23M@-10V... |
1 | 6,677 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V, -20A,RD<18M@-10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 16A,RD<10M@10V,V... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<20M@10V,... |
1 | 4,265 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<20M@-10V... |
1 | 7,674 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<12M@-10V... |
1 | 9,658 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<4.5M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<6M@10V,R... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,536 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<12M@-10V... |
1 | 7,990 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,-35A,RD(MAX)<10M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10... |
1 | 6,590 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<10M@-10V... |
1 | 5,985 | 加入询价 |
