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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
品牌:
Nexperia
(10)
EPC
(11)
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收起
工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
(11)
-55°C ~ 175°C(TJ)
(10)
封装/外壳:
SC-100,SOT-669
(4)
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
(3)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
(3)
模具
(11)
供应商器件封装:
D2PAK
(3)
LFPAK33
(3)
LFPAK56,Power-SO8
(4)
模具
(11)
技术:
GaNFET(氮化镓)
(11)
MOSFET(金属氧化物)
(10)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
1.7A(Ta)
(1)
100A(Tc)
(1)
10A(Ta)
(1)
11.8A(Tc)
(1)
120A(Tc)
(2)
18A(Ta)
(1)
26A(Tc)
(1)
29A(Ta)
(1)
33A(Tc)
(1)
37A(Tc)
(1)
48A(Ta)
(1)
6.8A(Ta)
(1)
60A(Ta)
(3)
62A(Tc)
(1)
75A(Tc)
(1)
84A(Tc)
(1)
90A(Ta)
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
10 毫欧 @ 20A,10V
(1)
10 毫欧 @ 25A,10V
(1)
14 毫欧 @ 15A,10V
(1)
17 毫欧 @ 11A,5V
(1)
2.2 毫欧 @ 29A,5V
(1)
2.5 毫欧 @ 29A,5V
(2)
20 毫欧 @ 10A,10V
(1)
20 毫欧 @ 6A,5V
(1)
25 毫欧 @ 10A,10V
(1)
25 毫欧 @ 6A,5V
(1)
3.2 毫欧 @ 25A,5V
(1)
3.2 毫欧 @ 30A,5V
(1)
3.6 毫欧 @ 25A,5V
(1)
31 毫欧 @ 5A,10V
(1)
4 毫欧 @ 25A,10V
(1)
4.5 毫欧 @ 25A,10V
(1)
6 毫欧 @ 16A,5V
(1)
8 毫欧 @ 25A,10V
(1)
80 毫欧 @ 1A,5V
(1)
98 毫欧 @ 5A,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.1V @ 1mA
(10)
2.5V @ 12mA
(1)
2.5V @ 13mA
(1)
2.5V @ 14mA
(2)
2.5V @ 2mA
(2)
2.5V @ 3mA
(1)
2.5V @ 4mA
(1)
2.5V @ 600µA
(1)
2.5V @ 7mA
(2)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.83 nC @ 5 V
(1)
12.2 nC @ 5 V
(1)
123 nC @ 5 V
(1)
13 nC @ 5 V
(1)
13.5 nC @ 5 V
(1)
13.6 nC @ 5 V
(1)
15 nC @ 5 V
(2)
16.7 nC @ 5 V
(1)
19 nC @ 5 V
(1)
2.2 nC @ 5 V
(1)
2.4 nC @ 5 V
(1)
20 nC @ 5 V
(1)
28.9 nC @ 5 V
(1)
4 nC @ 5 V
(1)
44.2 nC @ 5 V
(1)
48.8 nC @ 5 V
(1)
54.7 nC @ 5 V
(1)
6.2 nC @ 5 V
(1)
7.4 nC @ 5 V
(1)
92.1 nC @ 5 V
(1)
Vgs(最大值):
+5.75V,-4V
(2)
+6V,-4V
(9)
±10V
(10)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1410 pF @ 40 V
(1)
1449 pF @ 40 V
(1)
15340 pF @ 25 V
(1)
1570 pF @ 50 V
(1)
1650 pF @ 40 V
(1)
1700 pF @ 40 V
(1)
17130 pF @ 25 V
(1)
1804 pF @ 25 V
(1)
1940 pF @ 40 V
(1)
210 pF @ 40 V
(1)
2275 pF @ 25 V
(1)
238 pF @ 40 V
(1)
2808 pF @ 25 V
(1)
415 pF @ 50 V
(1)
4640 pF @ 25 V
(1)
6506 pF @ 25 V
(1)
706 pF @ 25 V
(1)
7149 pF @ 25 V
(1)
8167 pF @ 25 V
(1)
851 pF @ 50 V
(1)
88 pF @ 50 V
(1)
FET 功能:
-
(20)
标准
(1)
功率耗散(最大值):
-
(11)
147W(Tc)
(1)
182W(Tc)
(1)
194W(Tc)
(1)
238W(Tc)
(1)
324W(Tc)
(1)
349W(Tc)
(1)
37W(Tc)
(1)
62W(Tc)
(1)
75W(Tc)
(1)
79W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss) : 80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V
21 条记录
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EPC2021ENGR
EPC
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