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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
108A(Tc)
(1)
161A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
3.4 毫欧 @ 50A,10V
(1)
5.5 毫欧 @ 50A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
48 nC @ 7 V
(1)
76 nC @ 7 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
4773 pF @ 40 V
(1)
7430 pF @ 40 V
(1)
功率耗散(最大值):
113.6W(Tc)
(1)
156W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss) : 80 V
封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 : TO-263
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMB055N08NS1_R2_00601
PANJIT
80V/ 5.5MOHM / MV MOS...
1
788
加入询价
PSMB032N08NS1_R2_00601
PANJIT
80V/ 3.4MOHM / MV MOS...
1
800
加入询价
PSMB055N08NS1_R2_00601
PANJIT
-
库存 : 788
询价
PSMB032N08NS1_R2_00601
PANJIT
-
库存 : 800
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