- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 260M... |
1 | 103,087 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A... |
1 | 9,594 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 21A... |
1 | 25,714 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A... |
1 | 2,750 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 260M... |
1 | 779 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 4A ... |
1 | 134 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
