- 品牌：
-
- ON Semiconductor (1)
- PANJIT (1)
- 安装类型：
-
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
18 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH <= 40V PG-VS... |
1 | 8,300 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 600V TO220-3-1 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | NFET SO8FL 60V 69A 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET 600V 21A POW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 60V TDSON-8... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
