- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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149 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 4,792 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V PG-VS... |
1 | 8,300 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 600V TO220-3-1 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
