漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIA441DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 40V 12A...
1 114,590 加入询价
SIA447DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
1 101,795 加入询价
SIA427ADJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A ...
1 31,174 加入询价
SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
1 3,000 加入询价
IPD40DP06NMATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 4.3A...
1 2,386 加入询价
SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
1 2,000 加入询价
SIA445EDJT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
1 2,000 加入询价
SIA465EDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
1 2,000 加入询价
IPD06P007NATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 4.3A...
1 2,000 加入询价
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
TJ9A10M3,S4Q
1 2,000 加入询价
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