- 工作温度：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 330M... |
1 | 11,011 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 1.3A... |
1 | 11,194 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 45V 1A ... |
1 | 7,558 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4A ... |
1 | 26,949 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3A ... |
1 | 53,148 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
1 | 5,900 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A ... |
1 | 5,837 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2A ... |
1 | 971 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1A ... |
1 | 195 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 1.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
