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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
470mA(Ta)
(1)
520mA(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
1.8V,4.5V
(1)
4.5V,10V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
900 毫欧 @ 280mA,10V
(1)
900 毫欧 @ 280mA,4.5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1.9V @ 1mA
(1)
680mV @ 1mA(典型值)
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
2.2 nC @ 4.5 V
(1)
2.9 nC @ 10 V
(1)
Vgs(最大值):
±20V
(1)
±8V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
110 pF @ 24 V
(1)
80 pF @ 24 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
FET 类型 : P 通道
功率耗散(最大值) : 417mW(Ta)
漏源电压(Vdss) : 30 V
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BSH203,215
Nexperia
MOSFET P-CH 30V 470M...
1
150,253
加入询价
BSH202,215
Nexperia
MOSFET P-CH 30V 520M...
1
22,549
加入询价
BSH203,215
Nexperia
-
库存 : 150,253
询价
BSH202,215
Nexperia
-
库存 : 22,549
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