- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 20A... |
1 | 54,585 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 20A... |
1 | 22,608 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS P-CH VDSS:-20V... |
1 | 5,095 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P CH 20V 2.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 49 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 2.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
