- 品牌：
-
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
-
4,827 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Nexperia | MOSFET P-CH 50V 180M... |
1 | 386,939 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130M... |
1 | 36,875 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 460M... |
1 | 142,660 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A ... |
1 | 233,339 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET P-CH 50V 130M... |
1 | 354,046 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820M... |
1 | 489,065 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 137,545 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 600M... |
1 | 1,177,909 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 454,854 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET P-CH 30V 1A ... |
1 | 76,711 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 800M... |
1 | 453,863 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130M... |
1 | 800,595 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 760M... |
1 | 279,824 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.3A... |
1 | 172,423 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 6A ... |
1 | 143,963 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 329,003 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 6A ... |
1 | 177,278 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 590M... |
1 | 1,945,588 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 173,894 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.6A... |
1 | 203,456 | 加入询价 |
