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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
封装/外壳:
TO-220-3
(2)
TO-247-3
(2)
TO-247-4
(1)
供应商器件封装:
TO-220-3
(2)
TO-247-3
(2)
TO-247-4
(1)
技术:
-
(4)
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
43 nC @ 12 V
(1)
51 nC @ 15 V
(4)
已选条件:
单 FET,MOSFET
FET 类型 : N 通道
功率耗散(最大值) : 441W(Tc)
漏源电压(Vdss) : 650 V
5 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
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UF3C065030T3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 85A...
1
5,105
加入询价
UJ3C065030T3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 85A...
1
1,730
加入询价
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 85A...
1
4,463
加入询价
UF3C065030K4S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 85A...
1
3,110
加入询价
UF3C065030K3S
UnitedSiC
SICFET N-CH 650V 85A...
1
1,140
加入询价
UF3C065030T3S
UnitedSiC
-
库存 : 5,105
询价
UJ3C065030T3S
UnitedSiC
-
库存 : 1,730
询价
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
-
库存 : 4,463
询价
UF3C065030K4S
UnitedSiC
-
库存 : 3,110
询价
UF3C065030K3S
UnitedSiC
-
库存 : 1,140
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