- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (37)
- PANJIT (2)
- YANGJIE (4)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
56 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 45V 4.8A... |
1 | 149,195 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 6A ... |
1 | 124,394 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5... |
1 | 32,650 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 13,223 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A... |
1 | 49,612 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 3,120 | 加入询价 | |
|
|
Central Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 6A ... |
1 | 4,466 | 加入询价 | |
|
|
Central Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
1 | 3,550 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 2,860 | 加入询价 | |
|
|
Central Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5.3A... |
1 | 1,950 | 加入询价 | |
|
|
Central Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2A... |
1 | 1,967 | 加入询价 | |
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|
Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 4,721 | 加入询价 | |
|
|
Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 8,700 | 加入询价 | |
|
|
Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 6,765 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 5.6A... |
1 | 2,713 | 加入询价 | |
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|
YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 5.6A... |
1 | 2,204 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N CH 60V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET NCH 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET NCH 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
