- 品牌：
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- ON Semiconductor (11)
- YANGJIE (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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34 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 24,005 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 455 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 3,228 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 16A... |
1 | 954 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 22 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 13 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
