封装/外壳:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT025N06D5 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V...
1 9,935 加入询价
GT023N10T Goford Semiconductor
N100V, 140A,RD<2.7M@10V...
1 100 加入询价
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