- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- PANJIT (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A... |
1 | 35,258 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 3A ... |
1 | 2,817 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N CH 20V 2.8A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 20V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.32... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
