供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRL80HS120 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12.5...
1 6,329 加入询价
SQA600CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHA...
1 5,940 加入询价
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