供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
R6504END3TL1 ROHM Semiconductor
650V 4A TO-252, LOW-NO...
1 2,500 加入询价
FQD4N20TF ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A...
1 2,000 加入询价
IXTY1N80 Littelfuse
MOSFET N-CH 800V 750...
1 2,000 加入询价
FQD4N20TM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A...
1 2,000 加入询价
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