漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DN2450K4-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 350...
1 2,000 加入询价
FQD4N25TM-WS ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A...
1 8 加入询价
FQD4N25TF ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A...
1 2,000 加入询价
SPD02N60C3BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8...
1 2,000 加入询价
FQD4N25TM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A...
1 2,000 加入询价
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