供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SSM3K335R,LF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N CH 30V 6A ...
1 99,874 加入询价
CSD17313Q2T Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A ...
1 11,388 加入询价
CSD17313Q2 Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A ...
1 9,278 加入询价
CSD17313Q2Q1 Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A ...
1 6,117 加入询价
CSD17313Q2Q1T Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A ...
1 2,000 加入询价
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