- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
