漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
STD20NF20 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A...
1 2,000 加入询价
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
UMOS10 DPAK 80V 6.9M...
1 2,000 加入询价
STD25NF20 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A...
1 2,000 加入询价
NVD5C648NLT4G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A...
1 2,000 加入询价
STD20N20T4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A...
1 2,000 加入询价
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