- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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35 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 7.6... |
1 | 26,817 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5... |
1 | 3,559 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 11.... |
1 | 462 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 5.4... |
1 | 169 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 395 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
