供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
FET 功能:
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G2304 Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A...
1 8,980 加入询价
G1006LE Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<150M@10V...
1 7,648 加入询价
630AT Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<250M@10V...
1 80 加入询价
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