- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Nexperia | MOSFET N-CH 250V 375... |
1 | 81,517 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 250V 375... |
1 | 24,015 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 74,637 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SMD MOS... |
1 | 48,028 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 600 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 250V 310... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 250V 310... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
