供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G100N03D5 Goford Semiconductor
N-CH, 30V, 100A, RD(MA...
1 4,895 加入询价
GT035N06T Goford Semiconductor
N-CH, 60V,170A, RD(MA...
1 152 加入询价
GT035N10M Goford Semiconductor
N100V, 190A,RD<3.5M@10V...
1 766 加入询价
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