- 品牌：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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6 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH TO220A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 250V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 250V 2.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
