- 品牌：
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- Microsemi (2)
- Transphorm (2)
- UnitedSiC (2)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 910 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 34A... |
1 | 198 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23A... |
1 | 834 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 49A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 49A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | RH MOSFET _ U3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 100V 14.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 200V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
