- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 2A ... |
1 | 31,060 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
1 | 57,530 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
1 | 14,590 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 8,628 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 1.8A... |
1 | 39,545 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 14,224 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
