漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A ...
1 39,315 加入询价
SQ2364EES-T1_BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S...
1 8,270 加入询价
SQ2310ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A ...
1 521 加入询价
SQ2364EES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2A ...
1 2,000 加入询价
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