- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N100V, 7A,RD<140M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 25A,RD<15M@10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,15A,RD(MAX... |
1 | 10,198 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<20M@10V,... |
1 | 4,265 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)130mOHM... |
1 | 4,847 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, RD(MAX)<10.5M@1... |
1 | 3,975 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<110M@10V... |
1 | 2,473 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 75A,RD<8M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 40V,54... |
1 | 2,445 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 12,478 | 加入询价 |
